GT60M303 GATE BIPOLAR TRANSISTÖR

Stok kodu: 30018 Kategoriler: ,

Açıklama

GATE BIPOLAR TRANSISTÖR

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector−Emitter Voltage VCES 900 V
Gate−Emitter Voltage VGES ±25 V
DC IC 60
Collector Current
1ms ICP 120A
Emitter−Collector DC IECF 15
Foward Current 1ms IECFP 120A
Collector Power Dissipation
(Tc = 25°C) PC 170 W
Junction Temperature Tj 150 °C
Storage Temperature Range Tstg −55~150 °C
Screw Torque ― 0.8 N·m

İncelemeler

Henüz inceleme yapılmadı.

“GT60M303 GATE BIPOLAR TRANSISTÖR” için yorum yapan ilk kişi siz olun
Open chat
Merhaba
Size Nasıl Yardımcı Olabilirim?